氮化铝陶瓷基板 - 产品展示

      氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板是第三代半导体与大功率电子的核心散热/封装材料,核心优势是导热极强、热膨胀与硅匹配、绝缘优异、机械性能极佳。

氮化铝陶瓷基板

特征

  • 与氧化铝相比,有约7倍以上的高导热性。
  • 接近硅的热膨胀系数,对装载大型硅芯片和热循环实现了高可靠性。
  • 拥有高电绝缘性,介电常数小。
  • 有比氧化铝更好的机械强度。
  • 对熔融金属有良好的耐蚀性。
  • 杂质含有量极少,无毒性,纯度高。

用途

     散热基板、LED封装用基板、半导体用基板、薄膜电路基板、功率电阻用基板。

特性值

分类
Property Sort
项目
Characteristic
单位
Unit
指标值 Property Index
AIN170 AIN200 AIN230
基本性能
Basic Property
颜色 Color 灰色 Gray 灰色 Gray 米色 Beige
吸水率 Water absorption % 0 0 0
体积密度 Volume density g/cm³ ≥3.30 ≥3.30 ≥3.26
表面粗糙度 Surface roughness um Lapped
0.2~0.6
Lapped
0.2~0.6
Lapped
0.2~0.6
Polished
<0.05
Polished
<0.05
Polished
<0.05
翘曲度 Camber length% ≤3% ≤3% ≤3%
热学性能
Thermal Property
热导率 Thermal conductivity 25℃ W/m.k ≥170 ≥200 ≥230
300℃ ≥120 ≥130 ≥145
热膨胀系数
Coefficient of thermal expansion
40℃~400℃ ×10⁻⁶/k 4.6 4.6 4.5
40℃~800℃ 5.2 5.2 5.2
比热(25°C)Specific Heat J/(kg*K) 720 720 720
泊松比 Poisson's Ratio 0.24 0.24 0.24
力学性能
Mechanical Property
抗弯强度(三点)Bending strength Mpa ≥450 ≥400 ≥350
杨氏弹性模量 Modulus strength Gpa 320 310 310
莫氏硬度 Moh's hardness 8 8 8
维氏硬度 Vickers hardness Gpa 11 11 11
断裂韧性(IF法)Fracture Toughness Mpa·m¹ᐟ² 3 2.6 2.4
电学性能
Electrical Property
介电强度 Dielectric strength KV/mm ≥25 ≥26 ≥27
体积电阻率 Volume resistivity(25℃) Ω·cm ≥10¹⁴ ≥10¹⁴ ≥10¹³
介电常数 Dielectric constant 1MHz 8.5 8.5 8.5
介电损耗 Dielectric loss 1MHz,×10⁻³ 0.3 0.3 0.3

一般尺寸

产品尺寸mm 常规厚度mm 常规参数
25*20 0.127/0.15/0.2/0.25/0.3/0.35/
0.38/0.5/0.635/0.76/1.0/1.5/2.0/2.5/3.0
尺寸公差:±1%,NLT:±0.05mm
厚度公差:±10%,NLT:±0.01mm
(双面)研磨型:Ra0.2~0.7um
(单/双面)抛光型:Ra0.02~0.05um
孔:φ0.15mm~
公差:+0.05mm.NLT:+0.02mm
圆光斑:0.06~0.1mm
长光斑:长0.05~0.08,短0.015~0.03
激光划线:30%~70%,公差:3%~10%
翘曲度:≤3%,NLT:0.5%
平面度/平整度:20~70um
24*38
50.8*50.8
76.2*76.2
101.6*101.6
114.3*114.3
120*120 0.25/0.3/0.38/0.5/0.635/0.76
/1.0/1.5/2.0/2.5/3.0
127*127
160*160
139.7*190.5
φ16/φ20/φ26/φ30 0.635/1.0/1.5/2.0
φ35/φ40/φ45/φ50
φ55/φ60/φ65/φ70
φ100/φ125/φ150/φ200 0.38/0.5/0.635/0.76/1.0/1.5/2.0/2.5/3.0
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