氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板是第三代半导体与大功率电子的核心散热/封装材料，核心优势是导热极强、热膨胀与硅匹配、绝缘优异、机械性能极佳。
氮化硅陶瓷基板
特征
- 和氮化铝基板相比，约有两倍以上的抗弯强度。
- 和氧化铝基板或ZTA基板相比、拥有三倍以上的热导率。
- 高电绝缘性。
- 热膨胀系数与硅相近。
用途
散热基板、功率电子电路基板。
特性值
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分类 Property Sort |
项目 Characteristic |
单位 Unit |
指标值 Property Index | ||
| SiN80 | SiN130 | ||||
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基本性能 Basic Property |
颜色 Color | — | 灰色 Gray | 灰色 Gray | |
| 吸水率 Water absorption | % | 0 | 0 | ||
| 体积密度 Volume density | g/cm³ | ≥3.22 | ≥3.22 | ||
| 表面粗糙度 Surface roughness | um |
As-fired 0.1-0.4 |
As-fired 0.1-0.4 |
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| — | — | ||||
| 翘曲度 Camber | length% | ≤3% | ≤3% | ||
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热学性能 Thermal Property |
热导率 Thermal conductivity | 25℃ | W/m.k | ≥80 | ≥130 |
| 300℃ | — | — | |||
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热膨胀系数 Coefficient of thermal expansion |
40℃~400℃ | ×10⁻⁶/k | 2.6 | 2.6 | |
| 40℃~800℃ | 3.1 | 3.1 | |||
| 比热（25°C）Specific Heat | J/(kg*K) | 680 | 680 | ||
| 泊松比 Poisson's Ratio | — | 0.24 | 0.24 | ||
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力学性能 Mechanical Property |
抗弯强度（三点）Bending strength | Mpa | ≥750 | ≥600 | |
| 杨氏弹性模量 Modulus strength | Gpa | 310 | 310 | ||
| 莫氏硬度 Moh's hardness | — | 9 | 9 | ||
| 维氏硬度 Vickers hardness | Gpa | 15 | 15 | ||
| 断裂韧性（IF法）Fracture Toughness | Mpa·m¹ᐟ² | 6.5 | 6 | ||
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电学性能 Electrical Property |
介电强度 Dielectric strength | KV/mm | ≥15 | ≥15 | |
| 体积电阻率 Volume resistivity（25℃） | Ω·cm | ≥10¹⁴ | ≥10¹⁴ | ||
| 介电常数 Dielectric constant | 1MHz | 7.8 | 7.8 | ||
| 介电损耗 Dielectric loss | 1MHz，×10⁻³ | 0.3 | 0.3 | ||
标准尺寸
| 产品尺寸mm | 常规厚度mm | 常规参数 |
| 190.5*139.7(其他尺寸可定制) | 0.25/0.32/0.38/0.5/0.635 |
尺寸公差:±1%，NLT:±0.05mm 厚度公差:±10%，NLT:±0.02mm 研磨型:Ra0.2~0.6um 即烧型:Ra0.1~0.4um 翘曲度:≤3%。 |
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